參數(shù)資料
型號： BLV193
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-171A, 6 PIN
文件頁數(shù)： 11/14頁
文件大小： 108K
代理商： BLV193
March 1993
11
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV193
Fig.14 Input impedance (series components) as a
function of frequency, typical values.
Class-AB operation; V
CE
= 12.5 V; I
CQ
= 10 mA;
P
L
= 12 W; T
h
= 25
°
C.
handbook, halfpage
MRA561
0
1
2
3
4
840
880
Zi
(
)
xi
ri
920
960
f (MHz)
Fig.15 Load impedance (series components) as a
function of frequency, typical values.
Class-AB operation; V
CE
= 12.5 V; I
CQ
= 10 mA;
P
L
= 12 W; T
h
= 25
°
C.
handbook, halfpage
MRA548
0
840
1
2
3
4
880
ZL
(
)
RL
XL
920
960
f (MHz)
Fig.16 Definition of transistor impedance.
handbook, halfpage
MBA451
Zi
ZL
Fig.17 Power gain as a function of frequency,
typical values.
Class-AB operation; V
CE
= 12.5 V; I
CQ
= 10 mA;
P
L
= 12 W; T
h
= 25
°
C.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
MRA556
0
840
2
4
6
8
880
920
960
f (MHz)
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