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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AOD4132 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 125K |
| 代理商： | AOD4132 |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
14.2
39
0.8
Max
20
50
1.5
R
θ
JC
A
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
C
112
100
50
2.5
1.6
mJ
Maximum Junction-to-Case
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
V
V
±20
85
63
200
30
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
C
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
B,G
Drain-Source Voltage
Power Dissipation
A
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
DSM
Maximum
30
Units
T
C
=25°C
G
T
C
=100°C
B
W
A
P
D
°C
-55 to 175
I
D
W
AOD4132
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 85A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 4m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 6m
(V
GS
= 4.5V)
UIS Tested
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
General Description
The AOD4132 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and low
gate resistance. This device is ideally suited for use
as a low side switch in CPU core power conversion.
Standard Product AOD4132 is Pb-free (meets ROHS
& Sony 259 specifications).
G
D
S
G D S
TO-252
D-PAK
Top View
Drain Connected
to Tab
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOD413Y | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD413YL | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD413 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD413L | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD417 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AOD4132_08 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD4132L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:85A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| AOD4136 | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 25A TO252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOD4136L | 功能描述:MOSFET N-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:734pF @ 12.5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），30W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 |
| AOD413A | 功能描述:MOSFET P-CH 40V 12A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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