參數(shù)資料
型號： AOD413
廠商： ALPHA
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 的P -溝道增強型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 120K
代理商： AOD413
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
16.7
40
2.5
Max
25
50
3
R
θ
JL
Maximum Junction-to-Case
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
W
T
A
=70°C
1.6
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 175
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
P
DSM
2.5
A
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
C
mJ
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
T
C
=100°C
P
D
W
Avalanche Current
C
Continuous Drain
Current
B,G
Maximum
-40
±20
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
A
=25°C
G
T
A
=100°C
G
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
I
D
Gate-Source Voltage
Pulsed Drain Current
-12
-12
-30
-12
30
50
°C
25
A
AOD413
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -40V
I
D
= -12A (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 45m
(V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 69m
(V
GS
= -4.5V)
General Description
The AOD413 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and low
gate resistance. With the excellent thermal resistance
of the DPAK package, this device is well suited for
high current load applications.
Standard Product
AOD413 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications). AOD413L is a Green Product
ordering option. AOD413 and AOD413L are
electrically identical.
G D S
TO-252
D-PAK
Top View
Drain Connected to
Tab
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOD413L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD417 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD419 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD420 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD420L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AOD4130 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOD4132 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOD4132_08 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD4132L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:85A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AOD4136 功能描述:MOSFET N-CH 25V 25A TO252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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