參數(shù)資料
型號(hào)： AOD412
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 117K
代理商： AOD412
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
14.2
39
0.8
Max
20
50
1.5
R
θ
JL
2.5
1.6
W
T
A
=70°C
W
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
100
50
-55 to 175
T
C
=100°C
T
A
=25°C
I
D
Continuous Drain
Current
B,G
Pulsed Drain Current
Maximum
30
±20
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
C
=25°C
G
T
C
=100°C
B
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
85
65
200
30
120
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
C
Power Dissipation
A
P
DSM
°C/W
°C/W
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
Gate-Source Voltage
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
A
mJ
AOD412
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 85A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 7.0m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 10.5m
(V
GS
= 4.5V)
General Description
The AOD412 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate chargeand low
gate resistance. This device is ideally suited for use
as a high side switch in CPU core power conversion.
Standard Product AOD412 is Pb-free (meets ROHS
& Sony 259 specifications). AOD412L is a Green
Product ordering option. AOD412 and AOD412L are
electrically identical.
G
D
S
G D S
TO-252
D-PAK
Top View
Drain Connected
to Tab
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOD412L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD4132 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD413Y P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD413YL P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD413 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AOD4120 功能描述:MOSFET N-CH 20V 25A TO252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOD4120_08 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD4120L 功能描述:MOSFET N-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:900pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），33W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
AOD4124 功能描述:MOSFET N-CH 100V 54A TO252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOD4126 功能描述:MOSFET N-CH 100V 43A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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