參數(shù)資料
型號： AOD4128
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 127K
代理商： AOD4128
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Case
B
Symbol
Typ
18
50
1
Max
25
60
2
t
≤
10s
Steady State
Steady State
R
θ
JC
Maximum
25
Thermal Characteristics
Units
°C/W
°C/W
°C/W
R
θ
JA
°C
Power Dissipation
A
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
DSM
2.0
1.3
V
V
±20
60
60
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
C
I
D
Pulsed Drain Current
C
A
165
45
304
75
37
W
mJ
P
D
T
C
=100°C
W
-55 to 175
Continuous Drain
Current
G
Parameter
Drain-Source Voltage
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Gate-Source Voltage
Units
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
AOD4128
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 25V
I
D
= 60 A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 4 m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 7 m
(V
GS
= 4.5V)
General Description
The AOD4128 uses advanced trench technology to provide
excellent R
DS(ON)
, low gate charge and low gate resistance.
This device is ideally suited for use as a low side switch in
CPU core power conversion. The device can also be used
in PWM, load switching and general purpose applications.
Standard Product AOD412
8 is Pb-free (meets ROHS &
Sony 259 specifications).
G
D
S
G D S
TO-252
D-PAK
Top View
Drain Connected to
Tab
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
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PDF描述
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AOD412L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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AOD4130 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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