參數(shù)資料
型號(hào)： AO9926BL
廠商： ALPHA
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 125K
代理商： AO9926BL
AO9926B
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
(
s
V
DS
=10V
I
D
=7.6A
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
5
10
15
20
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
)
C
iss
C
rss
C
oss
0
0.001
10
20
30
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
T
on
T
P
D
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=62.5°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
10
μ
s
100
μ
s
10ms
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C, T
A
=25°C
100m
1s
10s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO9926E Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO9926EL Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOA400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOA400L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOB403 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO9926BL_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7.6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 7.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
AO9926C 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO9926E 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO9926EL 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOA0000CE2 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Precision Thick Film Chip Resistors
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