參數(shù)資料
型號： AO9926BL
廠商： ALPHA
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強型場效應晶體管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 125K
代理商： AO9926BL
AO9926B
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
10
20
30
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Figure 1: On-Regions Characteristi
cs
I
D
(
V
GS
=1.5V
V
GS
=2V
3V
4V
10V
0
5
10
15
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
25°C
125°C
V
GS
=5V
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
I
D(
A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
(
)
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
V
GS
=1.8V
V
GS
=10V
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=4 5V
V
GS
=2 5V
V
GS
=1 8V
V
GS
=10V
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
(
)
25°C
125°C
I
D
=7.6A
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
(
25°C
125°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關PDF資料
PDF描述
AO9926E Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO9926EL Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOA400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOA400L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOB403 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
AO9926BL_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 7.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:3,000
AO9926C 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO9926E 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO9926EL 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOA0000CE2 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Precision Thick Film Chip Resistors
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