參數(shù)資料
型號： AO8801L
廠商： ALPHA
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 113K
代理商： AO8801L
AO8801
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
-Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
-
G
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0
5
10
15
20
-V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
C
oss
C
rss
0
0.001
10
20
30
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
Single Pulse
D=T
on
/(T
on
+T)
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=90°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
-V
DS
(Volts)
-
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
μ
s
10ms
1ms
0.1s
1s
10s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
10
μ
s
V
DS
=-10V
I
D
=-4.7A
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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