參數(shù)資料
型號(hào)： AO8803L
廠商： ALPHA
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 121K
代理商： AO8803L
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
73
96
63
Max
90
125
75
R
θ
JL
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
±8
-7
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Drain-Source Voltage
-12
Maximum
Units
V
V
Parameter
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
-5.8
-20
1.4
0.9
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO8803
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -12V
I
D
= -7 A (V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
< 18m
(V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
< 22m
(V
GS
= -2.5V)
R
DS(ON)
< 29m
(V
GS
= -1.8V)
ESD Rating: 4KV HBM
General Description
The AO8803 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and
operation with gate voltages as low as 1.8V. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications. It is ESD protected.
Standard Product
AO8803 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications). AO8803L is a Green Product ordering
option. AO8803 and AO8803L are electrically
identical.
D1
S1
G1
D2
S2
G2
G1
S1
S1
D1
G2
S2
S2
1
2
3
4
8
7
6
5
TSSOP-8
Top View
D2
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO8804 LJT 6C 6#12 SKT WALL RECP
AO8806 LJT 6C 6#12 SKT WALL RECP
AO8808A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8808AL Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8808 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO8804 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8TSSOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO8804_09 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8804_100 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1810pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO8804L 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1810pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO8806 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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