參數(shù)資料
型號(hào)： AO8806
廠商： ALPHA
英文描述： LJT 6C 6#12 SKT WALL RECP
中文描述： 常見的漏雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 231K
代理商： AO8806
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
64
89
53
Max
83
120
70
R
θ
JL
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
±8
6.4
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Drain-Source Voltage
20
Maximum
Units
V
V
Parameter
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
5.4
30
1.5
1.08
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO8806
Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect
Transistor
Dec 2002
Features
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 6 A
R
DS(ON)
< 25m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 30m
(V
GS
= 2.5V)
R
DS(ON)
< 40m
(V
GS
= 1.8V)
General Description
The AO8806 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and
operation with gate voltages as low as 1.8V. This
device is suitable for use as a uni-directional or bi-
directional load switch, facilitated by its common-
drain configuration.
G1
S1
S1
D1/D2
G2
S2
S2
D1/D2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
D1
S1
G2
D2
S2
TSSOP-8
Top View
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO8808A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8808AL Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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