- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375336 > AO8808L (ALPHA) Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | AO8808L |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 115K |
| 代理商： | AO8808L |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
73
96
63
Max
90
125
75
R
θ
JL
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
1.4
1
-55 to 150
T
A
=70°C
I
D
8
6.3
30
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
Continuous Drain
Current
A
Maximum
20
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
±12
Gate-Source Voltage
°C/W
°C/W
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
t
≤
10s
R
θ
JA
AO8808
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 8A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 14m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 15m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 20m
(V
GS
= 2.5V)
R
DS(ON)
< 28m
(V
GS
= 1.8V)
General Description
The AO8808 uses advanced trench technology to provide
excellent R
DS(ON)
, low gate charge and operation with gate
voltages as low as 1.8V while retaining a 12V V
GS(MAX)
rating.
This device is suitable for use as a uni-directional or bi-
directional load switch, facilitated by its common-drain
configuration.
Standard Product AO8808 is Pb-free (meets
ROHS & Sony 259 specifications). AO8808L is a Green
Product ordering option. AO8808 and AO8808L are electrically
identical.
D2
S2
G1
D1
S1
G2
D2
S2
G1
S1
S1
D1
G2
S2
1
2
3
4
8
7
6
5
TSSOP-8
Top View
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO8810 | Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8810L | Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8814 | Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8814L | Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8816 | Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AO8810 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 7A 8-TSSOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| AO8810#A | 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 7A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1295pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| AO8810_12 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET |
| AO8810L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8814 | 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。