參數(shù)資料
型號(hào)： AO8806
廠商： ALPHA
英文描述： LJT 6C 6#12 SKT WALL RECP
中文描述： 常見的漏雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 231K
代理商： AO8806
AO8806
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
0
5
10
15
20
C
iss
C
oss
C
rss
0
0.001
10
20
30
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
V
DS
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
μ
s
10ms
1ms
0.1s
1s
10s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
V
DS
=10V
I
D
=6A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=83°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
10
μ
s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO8808A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8808AL Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8808 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8808L Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8810 Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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AO8808A 功能描述:MOSF 2N CH DL 20V 7.9A 8TSSOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:* 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
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