參數(shù)資料
型號(hào)： AO8801L
廠商： ALPHA
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 113K
代理商： AO8801L
AO8801
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
-
D
V
GS
=-1.5V
-2.0V
-2.5V
-4.5V
-8V
-3.0V
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
-V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
20
40
60
80
0
2
4
6
8
10
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-
S
25°C
125°C
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
I
D
=-4.7A, V
GS
=-2.5V
I
D
=-2A, V
GS
=-1.8V
I
D
=-4.7A, V
GS
=-4.5V
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
2
4
6
8
-V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
I
D
=-4.7A
25°C
125°C
25°C
125°C
V
DS
=-5V
V
GS
=-1.8V
V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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