參數(shù)資料
型號(hào)： AO4427L
廠商： ALPHA
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 的P -溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 146K
代理商： AO4427L
AO4427
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
V
GS
=-10V, V
DS
=-15V, I
D
=-12.5A
10ms
THIS PR1
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
FUNC0.1
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
-Q
g
(nC)
25
30
35
40
45
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
-
G
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
0
0.001
10
20
30
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
0.01
0.00001
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
C
oss
C
rss
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
-V
(Volts)
-
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
μ
s
1ms
0.1s
1s
10s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
V
DS
=-15V
I
D
=-12.5A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=40°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
10
μ
s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4429 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4429L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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AO4437 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4437L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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