參數(shù)資料
型號(hào)： AO4427L
廠商： ALPHA
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 的P -溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 146K
代理商： AO4427L
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
28
54
21
Max
40
75
30
R
θ
JL
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
3
2.1
-55 to 150
T
A
=70°C
I
D
-12.5
-10.5
-60
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
Continuous Drain
Current
A
Maximum
-30
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
±25
Gate-Source Voltage
°C/W
°C/W
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
t
≤
10s
R
θ
JA
AO4427
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -12.5 A (V
GS
= -20V)
R
DS(ON)
< 12m
(V
GS
= -20V)
R
DS(ON)
< 14m
(V
GS
= -10V)
ESD Rating: 2KV HBM
General Description
The AO4427 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, and ultra-low low gate
charge with a 25V gate rating. This device is suitable
for use as a load switch or in PWM applications. The
device is ESD protected.
Standard Product AO4427
is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).
AO4427L is a Green Product ordering option.
AO4427 and AO4427L are electrically identical
SOIC-8
Top View
G
S
S
S
D
D
D
D
D
S
G
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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