參數(shù)資料
型號(hào)： AO4435
廠商： ALPHA
英文描述： 740; 38000/740 Series; Microcontroller; Bit Size: 8-bit; ROM: 4K; RAM: 256; ROM Type: QzROM; CPU: 740 core; Minimum Instruction Execution Time (ns): 250 (@8MHz); Operating Frequency / Supply Voltage: 1.8 to 5.5V; Operating Ambient Temperature (°C): -20 to 85; Package Code: PLSP0020JB-A (20P2F-A)
中文描述： 的P -溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 177K
代理商： AO4435
Symbol
V
DS
V
GS
10 Sec
Steady State
-30
-10
-8
-8
-6
I
DM
3.1
2.0
1.7
1.1
T
J
, T
STG
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Symbol
Typ
32
60
17
Max
40
75
24
t
≤
10s
Steady State
Steady State
R
θ
JL
°C
-55 to 150
W
±25
-80
A
V
V
Maximum Junction-to-Lead
C
°C/W
Thermal Characteristics
Units
°C/W
°C/W
R
θ
JA
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Pulsed Drain Current
B
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Continuous Drain
Current
A
Units
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=70°C
I
D
P
D
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
G
S
S
S
D
D
D
D
AO4435
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
= -30V
I
D
= -10A (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 18m
(V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 36m
(V
GS
= -5V)
General Description
The AO4435 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, and ultra-low low gate charge
with a 25V gate rating. This device is suitable for use as
a load switch or in PWM applications. Standard Product
AO4435 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications).
G
D
S
SOIC-8
Top View
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4437 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4437L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4438 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4438L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4440 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO4435_102 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 11A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4435_103 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 11A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4435_11 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET
AO4435L_102 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 11A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4437 功能描述:MOSFET P-CH -12V -11A 8-SOIC RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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