參數(shù)資料
型號： AO4437L
廠商： ALPHA
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 的P -溝道增強型場效應晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 119K
代理商： AO4437L
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
31
63
21
Max
40
75
30
R
θ
JL
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
±8
-11
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Drain-Source Voltage
-12
Maximum
Units
V
V
Parameter
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
-9
-20
3
2.1
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO4437
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -12V
I
D
= -11 A (V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
< 16m
(V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
< 20m
(V
GS
= -2.5V)
R
DS(ON)
< 25m
(V
GS
= -1.8V)
ESD Rating: 4KV HBM
General Description
The AO4437 uses advanced trench technology to provide
excellent R
DS(ON)
, low gate charge and operation with gate
voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a
load switch or in PWM applications. It is ESD protected.
Standard Product
AO4437 is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications). AO4437L is a Green Product ordering
option. AO4437 and AO4437L are electrically identical.
D
S
G
G
S
S
S
D
D
D
D
SOIC-8
Top View
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關PDF資料
PDF描述
AO4438 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4438L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4440 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4440L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4441 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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AO4438_10 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:60V N-Channel MOSFET
AO4438_101 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 8.2A 8SO 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.2A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 8.2A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標準包裝:3,000
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