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參數(shù)資料
| 型號： | AGR21180EF |
| 廠商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 355K |
| 代理商： | AGR21180EF |
180 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR21180EF
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
IDQ = 1600 mA, POUT = 170 W peak envelope power (PEP).
F1 = 2135 MHz and F2 = 2145 MHz.
Figure 10. IM3 and Drain Efficiency vs. VDS (2 CW signal data)
Test Conditions:
28 VDS, IDQ = 1600 mA, POUT = 170 W (PEP).
FCENTER = 2140 MHz, F1 = FCENTER - F/2 MHz, F2 = FCENTER - F/2 MHz.
Figure 11. Intermodulation Products vs. Tone Separation (2 CW signal data)
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VDS (V)
(
%
)
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IM
3
(d
Bc
)
IM3
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0.01
0.1
1
10
100
TONE SEPARATION (F, MHz)
IM
D
(d
Bc
)
IM7
IM3
IM5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR26045EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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| AGT-8235 | 2000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AGT-8235R | 2000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AGR21N090EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR26045EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR26125E | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR26125EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR26125EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
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