參數(shù)資料
型號(hào)： AGR21180EF
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 355K
代理商： AGR21180EF
AGR21180EF
180 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
28 VDS, IDQ = 1200 mA to 2000 mA in 200 mA steps.
F1 = 2135 MHz and F2 = 2145 MHz.
Figure 8. IM3 vs. Output Power at 1200 mA to 2000 mA, 200 mA Steps (2 CW signal data)
Test Conditions:
28 VDS, IDQ = 1200 mA to 2000 mA in 200 mA steps.
F1 = 2135 MHz and F2 = 2145 MHz.
Figure 9. Power Gain vs. Output Power at 1200 mA to 2000 mA, 200 mA Steps (2 CW signal data)
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
1
10
100
1000
POUT (W, PEP)
IM
3
(d
Bc
)
2000 mA
1800 mA
1600 mA
1400 mA
1200 mA
11.5
12
12.5
13
13.5
14
14.5
15
1
10
100
1000
GA
IN
(d
B)
2000 mA
1800 mA
1600 mA
1400 mA
1200 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AGR26045EU UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGT-8235R 2000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
AGT-8235 2000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
AGT-8235R 2000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
AGT-8235R 2000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
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參數(shù)描述
AGR21N090EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR26045EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR26125E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
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