參數(shù)資料
型號: AGR09180EF
廠商: TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大小: 407K
代理商: AGR09180EF
180 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR09180EF
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
VDD = 28 V, IDQ = 1700 mA, TC = 30 °C.
F1 = 880 MHz and F2 = 880.1 MHz.
Figure 10. Third-order Intermodulation Distortion vs. Power Out
-65.0
-60.0
-55.0
-50.0
-45.0
-40.0
-35.0
-30.0
-25.0
-20.0
-15.0
-10.0
-5.0
0.0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280 300
OUTPUT POWER (POUT) WPEPZ
IM
D
dB
cZ
IM3-
IM3+
IM5-
IM5+
IM7-
IM7+
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AGR18030EF L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR19045EF L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR19K180EU 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21060EF S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21060EU S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AGR1000 功能描述:可復(fù)位保險(xiǎn)絲 10/9.6A 16V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C
AGR1100 功能描述:可復(fù)位保險(xiǎn)絲 11/10.5A 16V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C
AGR1100-0.16 功能描述:可復(fù)位保險(xiǎn)絲 AGR1100-0.16 RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C
AGR1100C 功能描述:可復(fù)位保險(xiǎn)絲 AGR1100C RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C
AGR1100C-0.138 功能描述:可復(fù)位保險(xiǎn)絲 - RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C