參數(shù)資料
型號(hào)： AGR09180EF
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 407K
代理商： AGR09180EF
180 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR09180EF
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1700 mA, TC = 30 °C, WAVEFORM = CW.
Figure 6. Power Gain vs. Power Out
Test Conditions:
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1700 mA, TC = 30 °C, WAVEFORM = CW.
Figure 7. Power Out and Drain Efficiency vs. Input Power
0
2
4
6
8
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12
14
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40
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POUT (W)
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240
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
PIN (W)Z
PO
UT
(W
)Z
20
25
30
35
40
45
50
55
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65
70
75
80
85
90
95
100
DR
AI
N
EF
FI
CI
EN
CY
(E
ff.
)(
%
)Z
POUT
EFFICIENCY
865 MHz
880 MHz
895 MHz
865 MHz
880 MHz
895 MHz
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PDF描述
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AGR1100 功能描述:可復(fù)位保險(xiǎn)絲 11/10.5A 16V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C
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