APT60S20SG/TR

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說明
操作

APT60S20SG/TR
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
TO-268-3
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產品

APT60S20SG/TR
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原裝

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

APT60S20SG/TR 技術參數(shù)

APT60S20SG 功能描述:Diode Schottky 200V 75A Surface Mount D3 [S] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應商器件封裝:D3 [S] 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT60S20BG 功能描述:Diode Schottky 200V 75A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 [B] 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT60S20B2CTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 75A Through Hole, Radial TO-247-3 Variant 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 200V 安裝類型:通孔，徑向封裝/外殼:TO-247-3 變式供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT60N60SCSG/TR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 44A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:190nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:431W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT60N60SCSG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:190nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V FET 功能:超級結功率耗散（最大值）:431W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 44A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 APT66M60L APT68GA60B APT68GA60B2D40 APT68GA60LD40 APT6M100K APT70GR120B2 APT70GR120J APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B APT70GR65B2DU40 APT70GR65B2SCD30 APT70SM70B APT70SM70J APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ