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APT75DL120HJ

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT75DL120HJ
    APT75DL120HJ

    APT75DL120HJ

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SOT-227-4

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APT75DL120HJ
    APT75DL120HJ

    APT75DL120HJ

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • MICROSEMI/美高森美

  • SOT-227-4

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • APT75DL120HJ
    APT75DL120HJ

    APT75DL120HJ

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯(lián)系人:劉小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • ISOTOP,SOT-227

  • 24+

  • -
  • 國產(chǎn)品牌,替代進口

  • APT75DL120HJ
    APT75DL120HJ

    APT75DL120HJ

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 17+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
APT75DL120HJ PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • RECTIFIER MODULE - STANDARD RECOVERY
APT75DL120HJ 技術參數(shù)
  • APT75DF170HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1700V 75A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:單相 電壓 - 峰值反向(最大值):1700V 電流 - DC 正向(If):75A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT70SM70S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):700V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):65A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 32.5A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):125nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT70SM70J 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):700V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 32.5A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):125nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:165W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT70SM70B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):700V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):65A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 32.5A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):125nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT70GR65B2SCD30 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:* 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):260A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,70A 功率 - 最大值:595W 開關能量:* 輸入類型:* 柵極電荷:305nC 25°C 時 Td(開/關)值:19ns/170ns 測試條件:433V,70A,4.3 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2 APT75M50L APT77N60BC6 APT77N60JC3 APT77N60SC6 APT7F100B APT7F120B
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