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APT70SM70B

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • APT70SM70B
    APT70SM70B

    APT70SM70B

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Microsemi/美高森美

  • TO-247

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
APT70SM70B PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • POWER MOSFET - SIC
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 碳化硅 （SiC）
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 700V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 65A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 70 毫歐 @ 32.5A，20V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 125nC @ 20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • -
  • 功率 - 最大值
  • 300W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-247 [B]
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
APT70SM70B 技術(shù)參數(shù)
  • APT70GR65B2SCD30 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:* 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):260A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 開關(guān)能量:* 輸入類型:* 柵極電荷:305nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:19ns/170ns 測試條件:433V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR65B2DU40 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:305nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:18ns/170ns 測試條件:433V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):260A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 開關(guān)能量:1.51mJ（開），1.46mJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:305nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:19ns/170ns 測試條件:433V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:160A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 功率 - 最大值:961W 開關(guān)能量:3.82mJ（開），2.58mJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:544nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:33ns/278ns 測試條件:600V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120JD60 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:112A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 電流 - 集電極截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:7.26nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2 APT75M50L APT77N60BC6
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