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APT70GR120B2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT70GR120B2
    APT70GR120B2

    APT70GR120B2

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-247-3

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APT70GR120B2
    APT70GR120B2

    APT70GR120B2

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 9688

  • TI

  • NA

  • 19+

  • -

  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • APT70GR120B2
    APT70GR120B2

    APT70GR120B2

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Microsemi/美高森美

  • TO247

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • APT70GR120B2
    APT70GR120B2

    APT70GR120B2

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Microsemi

  • TO247

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

  • APT70GR120B2
    APT70GR120B2

    APT70GR120B2

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • APT70GR120B2
    APT70GR120B2

    APT70GR120B2

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 30

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進(jìn)口

  • -

  • 代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

  • APT70GR120B2
    APT70GR120B2

    APT70GR120B2

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 50

  • MICROSEMI

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
APT70GR120B2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • IGBT 1200V 160A 961W TO247
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER IGBT TRANSISTOR
APT70GR120B2 技術(shù)參數(shù)
  • APT6M100K 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1410pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT68GA60LD40 功能描述:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:121A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):202A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，40A 功率 - 最大值:520W 開關(guān)能量:715μJ（開），607μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:198nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:21ns/133ns 測試條件:400V，40A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT68GA60B2D40 功能描述:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:121A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):202A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，40A 功率 - 最大值:520W 開關(guān)能量:715μJ（開），607μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:198nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:21ns/133ns 測試條件:400V，40A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT68GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:121A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):202A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，40A 功率 - 最大值:520W 開關(guān)能量:715μJ（開），607μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:298nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:21ns/133ns 測試條件:400V，40A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT66M60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:70A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13190pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J
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