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APT6M100K

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APT6M100K
    APT6M100K

    APT6M100K

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話(huà):0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9600

  • TO-220 [K]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

  • APT6M100K
    APT6M100K

    APT6M100K

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話(huà):1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • APTMICROSEMI

  • TO-220K

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • APT6M100K
    APT6M100K

    APT6M100K

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話(huà):19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 500

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APT6M100K
    APT6M100K

    APT6M100K

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話(huà):13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • TO-247

  • 11+

  • -
  • 100%進(jìn)口原裝正品,只做原裝

  • APT6M100K
    APT6M100K

    APT6M100K

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT(MICROSEMI)

  • 專(zhuān)業(yè)經(jīng)營(yíng)三極管 貨源充足 品質(zhì)保證

  • TO-220 [K]

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • APT6M100K
    APT6M100K

    APT6M100K

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • TO-220K

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 代理此型號(hào),原裝正品現(xiàn)貨!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共22條 
  • 1
APT6M100K PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
  • RoHS
  • 類(lèi)別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)
  • 邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
APT6M100K 技術(shù)參數(shù)
  • APT68GA60LD40 功能描述:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):121A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):202A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,40A 功率 - 最大值:520W 開(kāi)關(guān)能量:715μJ(開(kāi)),607μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:198nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:21ns/133ns 測(cè)試條件:400V,40A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):22ns 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT68GA60B2D40 功能描述:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):121A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):202A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,40A 功率 - 最大值:520W 開(kāi)關(guān)能量:715μJ(開(kāi)),607μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:198nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:21ns/133ns 測(cè)試條件:400V,40A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT68GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):121A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):202A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,40A 功率 - 最大值:520W 開(kāi)關(guān)能量:715μJ(開(kāi)),607μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:298nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:21ns/133ns 測(cè)試條件:400V,40A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT66M60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):190 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):330nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13190pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT66M60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):330nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13190pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G
配單專(zhuān)家

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