參數(shù)資料
型號： 2SK3781-01R
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： DIODE SCHOTTKY SINGLE 25V 200mW 0.33V-vf 200mA-IFM 2mA-IF 0.5uA-IR SOD-323 3K/REEL
中文描述： 73 A, 200 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： 2SK3781-01R
3
2SK3781-01R
FUJI POWER MOSFET
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
max.
min.
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250
μ
A
V
Tch [
°
C]
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130 140
0
2
4
6
8
10
12
14
Qg [nC]
Typical Gate Charge Characteristics
VGS=f(Qg):ID=73A,Tch=25
°
C
160V
100V
Vcc= 40V
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
C
VDS [V]
Typical Capacitance
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.1
1
10
100
1000
I
VSD [V]
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
IF=f(VSD):80
μ
s pulse test,Tch=25
°
C
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
1
10
2
10
3
Typical Switching Characteristics vs. ID
t=f(ID):Vcc=48V,VGS=10V,RG=10
td(on)
tr
tf
td(off)
t
ID [A]
0
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
I
AS
=30A
I
AS
=44A
I
AS
=73A
starting Tch [
°
C]
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch
E(AV)=f(starting Tch):Vcc=48V,I(AV)<=73A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3788-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3789-01R Enclosed Switches Series LS: Wobble - Coil Spring; 1NC 1NO DPDT Snap Action, Double Break; 0.5 in - 14NPT conduit; Plug-in
2SK3797 Silicon N-Channel MOS Type
2SK3798 RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
2SK3799 RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
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參數(shù)描述
2SK3781-01RSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3788-01 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 21 Milliohms;ID 92A;TO-247;PD 410W;VGS +/-3
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2SK3793 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK3793-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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