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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3799 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 元件分類： | 基準(zhǔn)電壓源/電流源 |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
| 中文描述： | 抗輻射高效，5安培開關(guān)穩(wěn)壓器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 221K |
| 代理商： | 2SK3799 |
2SK3799
2005-01-24
1
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (
π
-MOSIV)
2SK3799
Switching Regulator Applications
z
Low drain-source ON resistance
z
High forward transfer admittance
z
Low leakage current : I
DSS
= 100
μ
A (max) (V
DS
= 720 V)
z
Enhancement model : V
th
= 2.0 to 4.0 V (V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA)
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
: R
DS (ON)
= 1.0
(typ.)
: |Y
fs
| = 6.0 S (typ.)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
V
DSS
900
V
Drain-gate voltage (R
GS
= 20 k
)
V
DGR
900
V
Gate-source voltage
V
GSS
±30
V
DC
(Note 1)
I
D
8
A
Drain current
Pulse (Note 1)
I
DP
24
A
Drain power dissipation
P
D
50
W
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
E
AS
1080
mJ
Avalanche current
I
AR
8
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)
E
AR
5
mJ
Channel temperature
T
ch
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55~150
°C
Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal resistance, channel to case
R
th (ch
c)
2.5
°C / W
Thermal resistance, channel to
ambient
R
th (ch
a)
62.5
°C / W
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C during use of the device.
Note 2: V
DD
= 90 V, T
ch
= 25°C (initial), L = 30.9 mH, R
G
= 25
, I
AR
= 8 A
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature.
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.
Unit: mm
JEDEC
—
JEITA
SC-67
TOSHIBA
2-10U1B
Weight: 1.7 g (typ.)
1. Gate
2. Drain
3. Source
1
3
2
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