參數(shù)資料
型號： 2SK3667
廠商： Toshiba Corporation
元件分類： 基準(zhǔn)電壓源/電流源
英文描述： RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
中文描述： 抗輻射高效，5安培開關(guān)穩(wěn)壓器
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 226K
代理商： 2SK3667
2SK3667
2004-12-07
3
10
6
4
0
8
2
0
4
8
12
16
VGS
=
4V
4.5
5
4.75
5.25
6
10,8
20
5.5
16
12
8
4
0
20
0
20
50
4.5
4.75
5.25
10
5
40
30
10
8
6
VGS
=
4 V
5.5
0
0
2
4
6
8
10
8
20
Tc
=
55°C
25
100
12
4
16
0
6
8
10
0
ID
=
10 A
4
12
16
20
2.5
5
4
2
8
0.1
1
100
0.1
1
100
25
100
Tc
=
55°C
10
10
0.1
0.1
1
100
10
VGS
=
10 V
15V
10
1
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
DRAIN CURRENT I
D
(A)
R
DS (ON)
– I
D
D
R
D
)
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
DRAIN CURRENT I
D
(A)
Y
fs
– I
D
COMMON SOURCE
VDS
=
20 V
PULSE TEST
F
Y
f
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
GATE-SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
I
D
– V
GS
D
D
COMMON SOURCE
VDS
=
20 V
PULSE TEST
D
D
GATE-SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
V
DS
– V
GS
COMMON SOURCE
Tc
=
25
℃
PULSE TEST
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3669 Single Audio Amplifier
2SK366 N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR AUDIO AMPLIFIER, ANALOG SWITCH, CONSTANT CURRENT AND IMPEDANCE CONVERTER APPLICATIONS)
2SK3673-01MR N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3677-01MR N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3679-01MR STD LQg MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SK3667(Q,M) 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch, 600V, 7.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK3667(STA4,Q,M) 制造商:Toshiba 功能描述:TRANSISTOR
2SK3669(TE16L1,NQ) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A PW-MOLD 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Discrete, MOS, FET, TOSH, Pw-Mold,
2SK366-BL(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans JFET N-CH 12mA Si 3-Pin
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