參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2621
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency driver amplification
中文描述： 20 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 88K
代理商： 2SD2621
2SD2621
2
SJC00307AED
I
C
V
BE
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
P
C
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
0
80
120
40
0
120
100
80
60
40
20
Ambient temperature T
a
(
°
C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
T
a
= 25
°
C
I
B
=
100
μ
A
μ
A
μ
A
70
μ
A
50
μ
A
40
μ
A
30
μ
A
20
μ
A
10
μ
A
90
μ
A
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.1
1
10
100
1000
0.01
1
0.1
I
C
/ I
B
=
10
T
a
= 85
°
C
25
°
C
25
°
C
Collector current I
C
(mA)
C
C
0
0.2
Base-emitter voltage V
BE
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
0.4
1.4
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=
10 V
T
a
= 85
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
1
10
100
0
1
000
800
600
400
200
V
CE
=
10 V
T
a
= 85
°
C
25
°
C
25
°
C
Collector current I
C
(mA)
F
F
0
40
10
30
20
1
10
f = 1 MHz
T
a
= 25
°
C
Collector-base voltage V
CB
(V)
C
o
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2SD2621G0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSSMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SD262300L 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO SMINI 3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
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