參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2621
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency driver amplification
中文描述： 20 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 88K
代理商： 2SD2621
Transistors
2SD2621
Silicon NPN epitaxial planar type
1
Publication date: June 2004
SJC00307AED
For low-frequency driver amplification
■
Features
High forward current transfer ratio h
FE
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
High emitter-base voltage (Collector open) V
EBO
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
100
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
100
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
15
V
Collector current
20
mA
Peak collector current
I
CP
50
mA
Collector power dissipation
P
C
T
j
100
mW
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
V
CEO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
1 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
60 V, I
E
=
0
V
CE
=
60 V, I
B
=
0
100
V
Collector-emitter voltage (Base open)
100
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
15
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
I
CEO
0.1
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
1.0
Forward current transfer ratio
h
FE
V
CE
= 10 V, I
C
= 2 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
1 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA, G
V
= 80 dB
R
g
= 100 k
, Function = FLAT
400
1
200
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
f
T
NV
0.05
0.20
V
Transition frequency
200
MHz
Noise voltage
80
mV
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
Marking Symbol: 3B
1
±
0
0
±
0
0
0
5
0
0
±
0
0
0.33
(0.40)
(0.40)
0.80
±
0.05
1.20
±
0.05
1
2
3
5
+0.05
0.10
+0.05
0.23
+0.05
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SSSMini3-F1 Package
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SD2621G0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD262300L 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2623G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2624 制造商:SANYO 功能描述:NPN 800V 6A 10 to - TO-3PMLH Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSNPN800V0.06ATO-3PMLH 制造商:Sanyo 功能描述:Trans GP BJT NPN 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PMLH
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