參數(shù)資料
型號： 2SD2659
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： For Power Switching
中文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220D-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： 2SD2659
Power Transistors
2SD2659
Silicon NPN triple diffusion planar type
1
Publication date: January 2003
SJD00292AED
For power switching
■
Features
High forward current transfer ratio h
FE
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h
FE
TO-220D built-in: Excellent package with withstand voltage 5 kV
guaranteed
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
1.4
±
0.2
1.6
±
0.2
0.8
±
0.1
0.55
±
0.15
2.54
±
0.30
5.08
±
0.50
1
2
3
2.6
±
0.1
2.9
±
0.2
4.6
±
0.2
φ
3.2
±
0.1
3
±
0
9.9
±
0.3
1
±
0
1
±
0
4
±
0
S
Unit: mm
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
80
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
60
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
6
V
Collector current
3
A
Peak collector current
I
CP
6
A
Collector power
dissipation
T
C
=
25
°
C
P
C
20
W
2
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
1: Base
2: Collector
3: Emitter
TO-220D-A1 Package
Internal Connection
B
C
E
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
=
10 mA, I
B
=
0
V
CB
=
80 V, I
E
=
0
V
CE
=
60 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
V
CE
=
4.0 V, I
C
=
0.5 A
I
C
=
2.0 A, I
B
=
0.05 A
V
CE
=
12 V, I
C
=
0.2 A, f
=
10 MHz
60
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
100
μ
A
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
I
EBO
100
Emitter-base cutoff current (Collector open)
100
Forward current transfer ratio
h
FE
500
1
500
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
f
T
1.2
V
Transition frequency
50
MHz
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PDF描述
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2SD2661T100 功能描述:TRANS NPN 12V 2A MPT3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2662T100 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2670TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2671TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2672TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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