參數(shù)資料
型號: 2N7620M2
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 800 mA, 60 V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大?。?/td> 223K
代理商: 2N7620M2
IRHLA770Z4, 2N7620M2
Pre-Irradiation
8
www.irf.com
Fig 16a. Unclamped Inductive Test Circuit
RG
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
- VDD
DRIVER
A
15V
20V
.
VGS
Fig 16b. Unclamped Inductive Waveforms
tp
V(BR)DSS
IAS
QG
QGS
QGD
VG
Charge
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
4.5V
Fig 17b. Gate Charge Test Circuit
Fig 17a. Basic Gate Charge Waveform
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
td(off) tf
Fig 18a. Switching Time Test Circuit
Fig 18b. Switching Time Waveforms
VDS
Pulse Width ≤ 1 s
Duty Factor ≤ 0.1 %
RD
VGS
RG
D.U.T.
+
-
VDD
VGS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7624U3 22 A, 60 V, 0.072 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2N779A 100 mA, 15 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
2N834 NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
2N851 200 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-50
2N869A 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7622U2 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
2N7632UC 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED60V, Combination 1N-1P-CHANNELLOGIC LEVEL POWER MOSFET
2N7635-GA 功能描述:兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N7636-GA 功能描述:兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N7637-GA 功能描述:兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 7A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2