參數資料
型號： W19B320STB9F
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： PROM
英文描述： 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48
封裝： TFBGA-48
文件頁數： 31/52頁
文件大?。?/td> 1869K
代理商： W19B320STB9F
W19B(L)320ST/B
Publication Release Date: March 23, 2004
- 37 -
Revision A2
8.3 DC Characteristics
8.3.1 CMOS Compatible
LIMITS
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN. TYP. MAX.
UNIT
Input Load Current
ILI
VIN =VSS to VDD, VDD = VDD (Max.)
-
±3.0
A
A9 Input Load Current
ILIT
VDD = VDD (Max.), A9 = 12.5 V
-
35
A
#RESET Input Load Current
ILR
VDD = VDD (Max.), #RESET = 12.5 V
-
35
A
Output Leakage Current
ILO
VOUT =VSS to VDD, VDD =VDD (Max.)
-
±1.0
A
5 MHz
-
10
16
mA
#CE = VIL, #OE = VIH
Byte Mode
1 MHz
2
4
mA
5 MHz
10
16
mA
VDD Active Read Current (Note 1, 2)
ICC1
#CE = VIL, #OE = VIH
Word Mode
1 MHz
2
4
mA
VDD Active Write Current (Note 2, 3)
ICC2
#CE = VIL, #OE = VIH, #WE = VIL
-
15
45
mA
VDD Standby Current (Note 2)
ICC3
#CE, #RESET = VDD ±0.3V
-
0.2
5
A
VDD Reset Current (Note 2)
ICC4
#RESET = VSS ±0.3V
-
0.2
5
A
Automatic Sleep Mode Current
(note 2, 4)
ICC5 VIH = VDD
±0.3V, VIL = VSS ± 0.3V
-
0.2
5
A
Input Low Voltage
VIL
-
-0.5
-
0.8
V
Input High Voltage
VIH
-
0.7 x
VDD
-
VDD
+0.3
V
Voltage for Autoselect and Temporary
Sector protect/ Unprotect and Program
Acceleration
VHH
VDD = 3.0V
±10% (W19B320S) or
VDD = 3.3V
±10% (W19L320S)
8.5
-
9.5
V
Voltage for Autoselect and Temporary
Sector Unprotected
VID
VDD = 3.0V
±10% (W19B320S) or
VDD = 3.3V
±10% (W19L320S)
8.5
-
12.5
V
Output Low Voltage
VOL IOL = 4.0 mA, VDD = VDD (Min.)
-
0.45
V
VOH1 IOH = -2.0 mA, VDD = VDD (Min.)
0.85 x
VDD
-
V
Output High Voltage
VOH2 IOH = -100
A, VDD = VDD (Min.)
VDD-
0.4
-
Notes:
1. The ICC current listed is typically less than 2 mA/MHz, with #OE at VIH.
2. Maximum ICC specifications are tested with VDD = VDD max.
3. ICC active while Embedded Erase or Embedded Program is in progress.
4. Automatic sleep mode enables the low power mode when addresses remain stable for tACC + 30 nS. Typical sleep mode
current is 200 nA.
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