參數(shù)資料
型號： VNN3NV04
廠商： 意法半導體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 16/21頁
文件大?。?/td> 418K
代理商： VNN3NV04
16/21
VNN3NV04 / VNS3NV04 / VND3NV04 / VND3NV04-1
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
1.75
0.068
a1
0.1
0.25
0.003
0.009
a2
1.65
0.064
a3
0.65
0.85
0.025
0.033
b
0.35
0.48
0.013
0.018
b1
0.19
0.25
0.007
0.010
C
0.25
0.5
0.010
0.019
c1
45 (typ.)
D
4.8
5.0
0.188
0.196
E
5.8
6.2
0.228
0.244
e
1.27
0.050
e3
3.81
0.150
F
3.8
4.0
0.14
0.157
L
0.4
1.27
0.015
0.050
M
0.6
0.023
F
8 (max.)
SO-8 MECHANICAL DATA
相關PDF資料
PDF描述
VNP10N06FI “OMNIFET ”：Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率ＭＯＳＦＥＴ)
VNP10N06 Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET)
VNP10N07FI Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET)
VNP10N07 Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET)
VNP14N04 Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
VNN3NV04_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VNN3NV0413TR 功能描述:功率驅(qū)動器IC N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNN3NV04PTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC OMNIFET III Low Side 120mOhm 3.5A 40V RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNN3NV04TR-E 功能描述:電源開關 IC - 配電 N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNN7NV04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
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