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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPD44324362F5-E37-EQ2-A |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
| 中文描述： | 36M條位SRAM的2條DDRII字爆發(fā)運(yùn)作 |
| 文件頁數(shù)： | 23/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 361K |
| 代理商： | UPD44324362F5-E37-EQ2-A |
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23
Data Sheet M16780EJ3V0DS
μ
PD44324082, 44324092, 44324182, 44324362
JTAG AC Test Conditions
Input waveform (Rise / Fall time
≤
1 ns)
0.9 V
0.9 V
Test Points
1.8 V
0 V
Output waveform
0.9 V
0.9 V
Test Points
Output load
Figure 2. External load at test
TDO
Z
O
= 50
V
TT
= 0.9 V
20 pF
50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD44324362F5-E40-EQ2-A | 36M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
| UPD44324362F5-E50-EQ2 | 36M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
| UPD44324362F5-E50-EQ2-A | 36M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
| UPD45128163-A75L | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD45128163G5-A10LT-9JF | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD44324365BF5-E40-FQ1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:36MB, DDRII SRAM - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM DDRII 36MBIT 165BGA |
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| UPD44325094BF5-E40-FQ1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM QDRII 36MBIT 165BGA |
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