- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384043 > UPD44324362F5-E37-EQ2-A (NEC Corp.) 36M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | UPD44324362F5-E37-EQ2-A |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
| 中文描述： | 36M條位SRAM的2條DDRII字爆發(fā)運作 |
| 文件頁數(shù)： | 16/40頁 |
| 文件大小： | 361K |
| 代理商： | UPD44324362F5-E37-EQ2-A |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁當前第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁
16
Data Sheet M16780EJ3V0DS
μ
PD44324082, 44324092, 44324182, 44324362
DC Characteristics (T
A
= 0 to 70°C, V
DD
= 1.8 ± 0.1 V)
Parameter
Symbol
Test condition
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Note
x8, x9 x18
x36
Input leakage current
I
LI
–2
–
+2
μ
A
I/O leakage current
I
LO
–2
–
+2
μ
A
Operating supply current
I
DD
V
IN
≤
V
IL
or V
IN
≥
V
IH
,
-E37
690
970 1,090
mA
(Read Write cycle)
I
I/O
= 0 mA
-E40
650
900 1,000
Cycle = MAX.
-E50
550
750
850
Standby supply current
I
SB1
V
IN
≤
V
IL
or V
IN
≥
V
IH
,
-E37
520
mA
(NOP)
I
I/O
= 0 mA
-E40
500
Cycle = MAX.
-E50
400
High level output voltage
V
OH(Low)
|I
OH
|
≤
0.1 mA
V
DD
Q
– 0.2
–
V
DD
Q
V
3, 4
V
OH
Note1
V
DD
Q/2–0.12
–
V
DD
Q/2+0.12
V
3, 4
Low level output voltage
V
OL(Low)
I
OL
≤
0.1 mA
V
SS
–
0.2
V
3, 4
V
OL
Note2
V
DD
Q/2–0.12
–
V
DD
Q/2+0.12
V
3, 4
Notes 1.
Outputs are impedance-controlled. | I
OH
| = (V
DD
Q/2)/(RQ/5) ±15 % for values of 175
≤
RQ
≤
350
.
2.
Outputs are impedance-controlled. I
OL
= (V
DD
Q/2)/(RQ/5) ±15 % for values of 175
≤
RQ
≤
350
.
3.
AC load current is higher than the shown DC values.
4.
HSTL outputs meet JEDEC HSTL Class I and standards.
Capacitance (T
A =
25
°
C, f = 1MHz)
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Input capacitance (Address, Control)
C
IN
V
IN
= 0 V
4
5
pF
Input / Output capacitance
C
I/O
V
I/O
= 0 V
6
7
pF
(DQ, CQ, CQ#)
Clock Input capacitance
C
clk
V
clk
= 0 V
5
6
pF
Remark
These parameters are periodically sampled and not 100% tested.
Thermal Resistance
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Thermal resistance
θ
j-a
22.6
°
C/W
(junction – ambient)
Thermal resistance
θ
j-c
2.0
°
C/W
(junction – case)
Remark
These parameters are simulated under the condition of air flow velocity = 1 m/s.
<R>
<R>
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD44324362F5-E40-EQ2-A | 36M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
| UPD44324362F5-E50-EQ2 | 36M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
| UPD44324362F5-E50-EQ2-A | 36M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
| UPD45128163-A75L | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD45128163G5-A10LT-9JF | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD44324365BF5-E40-FQ1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:36MB, DDRII SRAM - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM DDRII 36MBIT 165BGA |
| UPD44324365BF5-E40-FQ1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:36MB, DDRII SRAM - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM DDRII 36MBIT 165BGA |
| UPD44325084BF5-E40-FQ1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM QDRII 36MBIT 165BGA |
| UPD44325092BF5-E40-FQ1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 4M x 9-Bit 0.45ns 165-Pin BGA |
| UPD44325094BF5-E40-FQ1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM QDRII 36MBIT 165BGA |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。