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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPD441000LGU-C12X-9JH |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
| 中文描述： | 100萬位CMOS靜態(tài)RAM 128K的字8位擴(kuò)展工作溫度 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/28頁(yè) |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | UPD441000LGU-C12X-9JH |
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Data Sheet M13714EJ5V0DS
17
μ
PD441000L-X
Low V
CC
Data Retention Characteristics (T
A
= –25 to +85
°
C)
Parameter
Symbol
Test Condition
μ
PD441000L
-BxxX
μ
PD441000L
-CxxX
μ
PD441000L
-DxxX
Unit
MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.
Data retention
supply voltage
V
CCDR1
/CE1
≥
V
CC
0.2 V,
CE2
≥
V
CC
0.2 V
2
3.6
1.5
3.6
1.5
3.6
V
V
CCDR2
CE2
≤
0.2 V
2
3.6
1.5
3.6
1.5
3.6
Data retention
supply current
I
CCDR1
V
CC
= 3.0 V, /CE1
≥
V
CC
0.2 V,
CE2
≥
V
CC
0.2 V or CE2
≤
0.2 V
0.05 2
Note
0.05 2
Note
0.05 2
Note
μ
A
I
CCDR2
V
CC
= 3.0 V, CE2
≤
0.2 V
0.05 2
Note
0.05 2
Note
0.05 2
Note
Chip deselection to
data retention mode
t
CDR
0
0
0
ns
Operation recovery
time
t
R
5
5
5
ms
Note
0.5
μ
A (T
A
≤
40 °C)
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