參數(shù)資料
型號(hào)： UPA895TD-T3
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
中文描述： NPN硅射頻雙晶體管
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 129K
代理商： UPA895TD-T3
UPA895TD
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
UPA895TD Q2
V
CE
= 2 V, I
C
= 20 mA
Frequency
GHz
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(dB)
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
0.100
0.200
0.300
0.400
0.500
0.600
0.700
0.800
0.900
1.000
1.100
1.200
1.300
1.400
1.500
1.600
1.700
1.800
1.900
2.000
2.100
2.200
2.300
2.400
2.500
2.600
2.700
2.800
2.900
3.000
0.575
0.555
0.543
0.544
0.545
0.549
0.552
0.557
0.560
0.566
0.569
0.572
0.576
0.580
0.584
0.588
0.592
0.598
0.604
0.608
0.615
0.619
0.624
0.629
0.633
0.637
0.640
0.644
0.647
0.651
-80.7
-121.1
-141.3
-152.8
-160.7
-166.7
-171.5
-175.3
-178.6
178.5
175.8
173.5
171.3
169.3
167.4
165.6
164.0
162.5
161.0
159.7
158.4
157.4
156.3
155.3
154.3
153.4
152.7
151.9
151.1
150.4
32.678
21.589
15.485
11.960
9.721
8.180
7.050
6.195
5.523
4.989
4.540
4.170
3.854
3.583
3.347
3.141
2.960
2.799
2.657
2.527
2.412
2.307
2.210
2.121
2.039
1.963
1.894
1.831
1.772
1.718
135.7
115.2
104.6
98.0
93.1
89.2
85.8
82.8
80.1
77.5
75.0
72.7
70.4
68.3
66.2
64.2
62.2
60.3
58.4
56.5
54.8
53.0
51.2
49.6
47.9
46.3
44.7
43.1
41.7
40.2
0.021
0.030
0.035
0.040
0.045
0.050
0.056
0.062
0.067
0.073
0.079
0.085
0.091
0.097
0.103
0.110
0.116
0.122
0.129
0.135
0.141
0.148
0.154
0.161
0.167
0.173
0.180
0.187
0.194
0.200
58.6
51.5
51.3
53.3
55.7
57.8
59.6
61.1
62.3
63.2
64.0
64.6
65.0
65.3
65.4
65.7
65.7
65.6
65.5
65.4
65.2
65.0
64.7
64.4
64.1
63.7
63.4
63.1
62.6
62.2
0.711
0.474
0.349
0.280
0.238
0.211
0.193
0.181
0.171
0.165
0.159
0.156
0.153
0.152
0.151
0.152
0.153
0.156
0.159
0.163
0.168
0.173
0.178
0.184
0.190
0.197
0.204
0.212
0.220
0.229
-40.1
-57.3
-64.3
-68.2
-70.8
-72.8
-75.0
-77.1
-79.5
-82.2
-85.3
-88.3
-91.7
-95.2
-98.7
-102.3
-105.9
-109.4
-113.0
-116.5
-120.1
-123.5
-127.2
-130.2
-133.3
-136.0
-138.7
-140.8
-143.2
-145.1
0.296
0.485
0.653
0.767
0.854
0.911
0.955
0.985
1.009
1.021
1.036
1.046
1.055
1.060
1.064
1.066
1.064
1.061
1.054
1.052
1.043
1.037
1.032
1.025
1.021
1.014
1.009
1.000
0.993
0.984
31.88
28.63
26.46
24.74
23.34
22.10
21.00
20.03
18.56
17.44
16.42
15.58
14.82
14.17
13.56
13.01
12.53
12.09
11.73
11.34
11.05
10.75
10.48
10.23
9.99
9.81
9.64
9.87
9.62
9.33
Q2
Q2
j50
j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
50
10
25
100
S
11
S
22
+90o
+135o
-135o
-90o
-45o
+45o
+0o
.2
.4
.8
.6
1
+180o
S
21
S
12
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
Note:
1. Gain Calculations:
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA895TD NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
UPB1510 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS
UPB1510GV-E1 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS
UPB1510GV 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS
UPB1512TU CONN PLUG CABLE FEMALE 8POS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA895TD-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Dual High Freq RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA895TS-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA895TS-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA9 制造商:American Power Conversion Corp (APC by Schneider Electric) 功能描述:APC Universal Power Adapter with NAM plug kit
UPA901TU-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN SiGe Pwr Amp RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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