參數(shù)資料
型號(hào)： UPA895TD-T3
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
中文描述： NPN硅射頻雙晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 129K
代理商： UPA895TD-T3
UPA895TD
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
I
2
|
2
M
M
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
Frequency, f (GHz)
V
CE
= 2 V
I
C
= 5 mA
35
5
15
0.1
1
10
30
25
20
10
0
|S
21e
|
2
MAG
MSG
Collector Current, I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
20
I
2
|
2
M
M
V
CE
= 1 V
f = 1 GHz
5
15
100
1
10
10
0
|S
21e
|
2
MAG
MSG
Collector Current, I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
I
2
|
2
M
M
V
CE
= 1 V
f = 2 GHz
0
10
100
1
10
15
5
-5
MAG
|S
21e
|
2
Collector Current, I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
I
2
|
2
M
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
5
15
100
1
10
-5
10
0
MAG
|S
21e
|
2
Collector Current, I
C
(mA)
A
a
N
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 1 V
f = 1 GHz
2
4
100
1
10
6
5
3
0
NF
G
a
6
3
12
18
15
9
0
1
Collector Current, I
C
(mA)
A
a
N
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 1 V
f = 2 GHz
2
4
100
1
1
10
6
5
3
0
NF
6
3
12
18
15
9
0
G
a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA895TD NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
UPB1510 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS
UPB1510GV-E1 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS
UPB1510GV 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS
UPB1512TU CONN PLUG CABLE FEMALE 8POS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA895TD-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Dual High Freq RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA895TS-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA895TS-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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