參數(shù)資料
型號： UPA895TD-T3
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
中文描述： NPN硅射頻雙晶體管
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大小： 129K
代理商： UPA895TD-T3
UPA895TD
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
REVERSE TRANSFR CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
V
CE
= 1 V
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
Base to Emitter Voltage, V
BE
(V)
C
C
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
Base to Emitter Voltage, V
BE
(V)
C
C
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
V
CE
= 2 V
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
Ambient Temperature, T
A
(
°
C)
T
t
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
300
250
200
180
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
2 Elements
Mounted on Glass Epoxy PCB
(1.08 cm
x 1.0 mm (t) )
1 Element
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
R
r
(
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
f = 1 MHz
Collector Current, I
C
(mA)
A
a
N
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
2
4
100
1
1
10
6
5
3
0
NF
6
3
12
18
15
9
0
G
a
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
Q1 Q2
9
5.5
1.5
100
190 for 1 element
210 for 2 elements
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
2
V
V
V
mA
mW
T
J
Junction Temperature
°
C
T
STG
Storage Temperature
°
C
9
5.5
1.5
100
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
Note: 1. Operation in excess of any one of these parameters may
result in permanent damage.
2. Mounted on 1.08cm
2
x 1.0 mm(t) glass epoxy substrate.
150 150
-65 to +150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA895TD NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
UPB1510 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS
UPB1510GV-E1 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS
UPB1510GV 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS
UPB1512TU CONN PLUG CABLE FEMALE 8POS
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參數(shù)描述
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