參數(shù)資料
型號(hào)： UPA861TD
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅射頻雙晶體管
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大小： 129K
代理商： UPA861TD
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
UPA861TD (Q2)
V
CE
= 1 V, I
C
= 20 mA
Frequency
GHz
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
2.00
2.10
2.20
2.30
2.40
2.50
2.60
2.70
2.80
2.90
3.00
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(dB)
35.60
32.24
30.19
28.66
27.35
26.20
25.15
24.22
23.37
22.58
21.43
20.30
19.45
18.73
18.06
17.48
16.93
16.43
15.96
15.52
15.11
14.73
14.35
14.01
13.68
13.37
13.07
12.81
12.53
12.31
MAG
0.401
0.358
0.308
0.265
0.231
0.206
0.187
0.174
0.164
0.159
0.156
0.154
0.154
0.157
0.160
0.165
0.170
0.177
0.183
0.190
0.197
0.204
0.211
0.218
0.224
0.231
0.237
0.243
0.249
0.254
ANG
- 21.6
- 40.9
- 56.8
- 70.1
- 81.9
- 92.6
-102.5
-111.7
-120.4
-128.6
-136.3
-143.5
-150.2
-156.0
-161.2
-165.9
-170.1
-174.0
-176.9
-179.8
177.6
175.8
173.4
171.9
170.2
169.0
167.8
166.9
165.9
165.3
MAG
29.200
25.940
22.512
19.468
16.923
14.860
13.191
11.835
10.710
9.775
8.985
8.311
7.727
7.219
6.772
6.381
6.030
5.716
5.437
5.180
4.949
4.736
4.543
4.366
4.200
4.047
3.906
3.776
3.654
3.542
ANG
161.7
145.9
133.8
124.6
117.4
111.7
107.0
103.0
99.5
96.4
93.6
91.0
88.7
86.4
84.3
82.4
80.5
78.6
76.8
75.2
73.5
71.8
70.3
68.8
67.2
65.8
64.3
62.9
61.5
60.1
MAG
0.008
0.015
0.022
0.027
0.031
0.036
0.040
0.045
0.049
0.054
0.059
0.063
0.068
0.072
0.077
0.082
0.087
0.092
0.096
0.101
0.106
0.111
0.116
0.121
0.126
0.130
0.135
0.141
0.146
0.151
ANG
83.0
74.6
72.4
72.0
72.1
71.6
72.0
72.0
72.3
72.5
72.7
72.8
72.9
72.9
72.8
72.7
72.5
72.3
72.0
71.8
71.6
71.3
71.1
70.8
70.4
70.0
69.6
69.4
68.9
68.5
MAG
0.891
0.805
0.710
0.629
0.563
0.512
0.471
0.439
0.413
0.391
0.372
0.355
0.341
0.328
0.316
0.306
0.297
0.288
0.280
0.273
0.266
0.261
0.255
0.250
0.245
0.242
0.238
0.237
0.234
0.235
ANG
- 12.9
- 23.2
- 30.3
- 35.1
- 38.1
- 40.2
- 41.6
- 42.7
- 43.7
- 44.7
- 45.5
- 46.6
- 47.6
- 48.7
- 50.1
- 51.4
- 52.9
- 54.6
- 56.4
- 58.3
- 60.4
- 62.5
- 64.8
- 67.0
- 69.4
- 71.7
- 74.1
- 76.5
- 79.1
- 81.3
0.43
0.51
0.62
0.71
0.79
0.86
0.90
0.94
0.97
0.99
1.00
1.02
1.03
1.04
1.05
1.05
1.06
1.06
1.07
1.07
1.07
1.07
1.07
1.07
1.07
1.06
1.06
1.06
1.06
1.05
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
V
CE
= 1 V, I
C
= 20 mA
0.100 to 3.000GHz by 0.050
-j100
S
22 = 1
S
11 = 1
25
10
j10
-j10
0
j25
-j25
50
j50
-j50
100
j100
S
12
= .2
S
21
= 10
-150°
-120°
-90°
-60°
-30°
+0°
+30°
+60°
+90°
+120°
+150°
+180°
0.100 to 3.000GHz by 0.050
UPA861TD
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PDF描述
UPA861TD-T3 NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
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UPB1510 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA861TD-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA861TD-T3 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 3V 0.03A/0.035A 6-Pin T/R
UPA861TD-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA862TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
UPA862TD 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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