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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA861TD |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
| 中文描述： | 鄰舍NPN硅射頻雙晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | UPA861TD |
UPA861TD
Q1
Q2
C
C
Base to Emitter Voltage, V
BE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
C
C
Base to Emitter Voltage, V
BE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
C
C
Base to Emitter Voltage, V
BE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
C
C
C
C
TYPICAL CHARACTERISTICS, cont.
(T
A
= 25
°
C, unless otherwise specified)
C
C
Base to Emitter Voltage, V
BE
(V)
V
CE
= 1 V
100
10
1
0.01
0.001
0.1
0.0001
0.7
0.5
0.6
0.4
0.8
0.9
1.0
V
CE
= 1 V
100
10
1
0.01
0.001
0.1
0.0001
0.7
0.5
0.6
0.4
0.8
0.9
1.0
V
CE
= 2 V
100
10
1
0.01
0.001
0.1
0.0001
0.7
0.5
0.6
0.4
0.8
0.9
1.0
V
CE
= 2 V
100
10
1
0.01
0.001
0.1
0.0001
0.7
0.5
0.6
0.4
0.8
0.9
1.0
30
20
15
5
35
25
10
0
2
1
3
4
IB = 50 A
100 A
200 A
μ
300 A
μ
400 A
I
B
: 50 A step
20
40
30
10
0
2
1
3
4
I
B
= 50 A
150 A
200 A
μ
350 A
400 A
450 A
500 A
250 A
μ
300 A
100 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA861TD-T3 | NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
| UPA895TD-T3 | NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
| UPA895TD | NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
| UPB1510 | 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS |
| UPB1510GV-E1 | 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA861TD-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA861TD-T3 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 3V 0.03A/0.035A 6-Pin T/R |
| UPA861TD-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA862TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| UPA862TD | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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