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參數(shù)資料
| 型號： | UPA861TD |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
| 中文描述： | 鄰舍NPN硅射頻雙晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | UPA861TD |
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
Q1 Q2
5
3
2
30
90
195 Total
150 150
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
1
V
V
V
mA
mW
T
J
Junction Temperature
°
C
T
STG
Storage Temperature
°
C
9
3
1.5
35
105
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1,2
(T
A
= 25
°
C)
Note: 1. Operation in excess of any one of these parameters may
result in permanent damage.
2. Mounted on 1.08cm
2
x 1.0 mm(t) glass epoxy PCB
UPA861TD
-65 to +150
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
UPA861TD-T3
QUANTITY
10K Pcs./Reel
PACKAGING
Tape & Reel
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C, unless otherwise specified)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
T
t
Ambient Temperature, T
A
(oC)
300
250
100
90
200
150
50
0
25
50
75
100
125
150
2 Elements in total
Q2
Q1
Mounted on Glass Epoxy PCB
(1.08 cm
2
x 1.0mm (t))
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
0.5
R
r
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
2
3
4
5
f = 1 MHz
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
0.5
R
r
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
0.4
0.3
0.2
0.1
0
2
4
6
8
10
f = 1 MHz
Q1
Q2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA861TD-T3 | NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
| UPA895TD-T3 | NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
| UPA895TD | NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
| UPB1510 | 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS |
| UPB1510GV-E1 | 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA861TD-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA861TD-T3 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 3V 0.03A/0.035A 6-Pin T/R |
| UPA861TD-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA862TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| UPA862TD | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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