參數(shù)資料
型號： UPA861TD-T3
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅射頻雙晶體管
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 129K
代理商： UPA861TD-T3
UPA861TD (Q1)
V
CE
= 1 V, I
C
= 10 mA
Frequency
GHz
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
2.00
2.10
2.20
2.30
2.40
2.50
2.60
2.70
2.80
2.90
3.00
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(dB)
30.51
27.44
25.58
24.25
23.17
22.20
21.35
20.58
19.88
19.22
18.61
18.03
17.49
16.99
16.50
15.32
14.53
13.89
13.35
12.83
12.37
11.93
11.53
11.15
10.80
10.46
10.15
9.85
9.56
9.30
MAG
0.691
0.625
0.559
0.507
0.470
0.445
0.426
0.415
0.408
0.404
0.402
0.400
0.401
0.403
0.406
0.410
0.414
0.419
0.424
0.428
0.434
0.438
0.443
0.447
0.452
0.456
0.461
0.464
0.467
0.470
ANG
- 25.9
- 51.3
- 72.3
- 89.7
-104.3
-116.3
-126.4
-135.1
-142.8
-149.5
-155.5
-161.0
-165.9
-170.4
-174.4
-178.1
178.5
175.3
172.5
169.9
167.5
165.3
163.2
161.3
159.5
158.0
156.5
155.3
154.1
153.0
MAG
20.769
18.506
16.074
13.885
12.048
10.549
9.332
8.348
7.536
6.861
6.287
5.800
5.380
5.014
4.693
4.409
4.155
3.930
3.729
3.543
3.376
3.223
3.086
2.959
2.842
2.734
2.634
2.544
2.459
2.381
ANG
160.8
144.8
132.3
122.8
115.3
109.5
104.6
100.5
96.9
93.7
90.8
88.2
85.7
83.4
81.2
79.2
77.3
75.4
73.6
71.9
70.2
68.6
67.1
65.7
64.2
62.8
61.5
60.1
58.8
57.6
MAG
0.018
0.033
0.044
0.052
0.058
0.064
0.068
0.073
0.078
0.082
0.087
0.091
0.096
0.100
0.105
0.110
0.114
0.119
0.123
0.128
0.133
0.137
0.142
0.146
0.151
0.155
0.160
0.164
0.169
0.173
ANG
78.6
66.0
59.6
55.7
53.8
52.4
52.1
51.9
52.0
52.0
52.4
52.7
52.9
53.1
53.1
53.3
53.4
53.4
53.4
53.2
53.2
53.0
53.0
52.8
52.6
52.3
52.2
51.9
51.8
51.4
MAG
0.902
0.793
0.678
0.581
0.501
0.440
0.389
0.349
0.317
0.291
0.269
0.250
0.234
0.222
0.212
0.204
0.198
0.193
0.190
0.188
0.188
0.188
0.189
0.190
0.192
0.193
0.195
0.198
0.200
0.202
ANG
- 18.3
- 32.9
- 44.0
- 52.3
- 58.7
- 63.8
- 68.2
- 72.0
- 75.7
- 79.2
- 82.6
- 86.1
- 89.6
- 93.1
- 96.9
-100.5
-104.0
-107.7
-111.4
-114.7
-118.1
-121.1
-124.1
-126.8
-129.2
-131.1
-132.9
-134.4
-136.1
-137.1
0.17
0.28
0.38
0.47
0.56
0.63
0.70
0.76
0.81
0.85
0.89
0.92
0.95
0.97
1.00
1.01
1.03
1.05
1.06
1.07
1.08
1.08
1.09
1.10
1.10
1.11
1.11
1.11
1.12
1.12
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
V
CE
= 1 V, I
C
= 10 mA
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
Note:
1. Gain Calculations:
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
0.100 to 3.000GHz by 0.050
-j100
S
22 = 1
S
11 = 1
10
j10
-j10
25
0
j25
-j25
50
j50
-j50
100
j100
S
12
= .2
S
21
= 10
-150°
-120°
-90°
-60°
-30°
+0°
+30°
+60°
+90°
+120°
+150°
+180°
0.100 to 3.000GHz by 0.050
UPA861TD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA895TD-T3 NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
UPA895TD NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
UPB1510 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS
UPB1510GV-E1 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS
UPB1510GV 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA861TD-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA862TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
UPA862TD 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA862TD-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA862TD-T3 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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