參數(shù)資料
型號(hào)： UPA861TD-T3
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅射頻雙晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 129K
代理商： UPA861TD-T3
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
Q1 Q2
5
3
2
30
90
195 Total
150 150
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
1
V
V
V
mA
mW
T
J
Junction Temperature
°
C
T
STG
Storage Temperature
°
C
9
3
1.5
35
105
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1,2
(T
A
= 25
°
C)
Note: 1. Operation in excess of any one of these parameters may
result in permanent damage.
2. Mounted on 1.08cm
2
x 1.0 mm(t) glass epoxy PCB
UPA861TD
-65 to +150
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
UPA861TD-T3
QUANTITY
10K Pcs./Reel
PACKAGING
Tape & Reel
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C, unless otherwise specified)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
T
t
Ambient Temperature, T
A
(oC)
300
250
100
90
200
150
50
0
25
50
75
100
125
150
2 Elements in total
Q2
Q1
Mounted on Glass Epoxy PCB
(1.08 cm
2
x 1.0mm (t))
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
0.5
R
r
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
2
3
4
5
f = 1 MHz
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
0.5
R
r
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
0.4
0.3
0.2
0.1
0
2
4
6
8
10
f = 1 MHz
Q1
Q2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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UPA895TD NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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