- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383975 > UPA861TD-T3 (NEC Corp.) NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | UPA861TD-T3 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
| 中文描述： | 鄰舍NPN硅射頻雙晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | UPA861TD-T3 |
UPA861TD
Q1
Q2
N
Collector Current, I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURENT
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURENT
N
Collector Current, I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURENT
N
Collector Current, I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURENT
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURENT
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURENT
Collector Current, I
C
(mA)
Collector Current, I
C
(mA)
N
N
TYPICAL CHARACTERISTICS, cont.
(T
A
= 25
°
C, unless otherwise specified)
N
Collector Current, I
C
(mA)
10
8
6
4
2
0
20
16
12
4
8
0
1
10
100
V
CE
= 1 V
f = 1 GHz
NF
G
a
6
5
3
2
1
4
0
24
20
16
12
8
4
0
1
10
100
V
CE
= 1 V
f = 1 GHz
G
a
NF
10
8
6
4
2
0
20
16
12
4
8
0
1
10
100
V
CE
= 1 V
f = 2 GHz
NF
G
a
6
5
3
2
1
4
0
24
20
16
12
8
4
0
1
10
100
V
CE
= 1 V
f = 2 GHz
G
a
NF
10
8
6
4
2
0
20
16
12
4
8
0
1
10
100
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
NF
G
a
6
5
3
2
1
4
0
24
20
16
12
8
4
0
1
10
100
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
G
a
NF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA895TD-T3 | NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
| UPA895TD | NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
| UPB1510 | 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS |
| UPB1510GV-E1 | 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS |
| UPB1510GV | 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA861TD-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA862TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| UPA862TD | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA862TD-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA862TD-T3 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。