參數(shù)資料
型號(hào)： UPA678TB
廠商： NEC Corp.
英文描述： P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： UPA678TB
Data Sheet G16607EJ1V0DS
4
μ
PA678TB
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
1
2
3
4
-50
0
50
100
150
Pulsed
V
GS
=
2.5 V, I
D
=
0.15 A
V
GS
=
4.0 V, I
D
=
0.20 A
V
GS
=
4.5 V, I
D
=
0.20 A
T
ch
- Channel Temperature - °C
R
D
0
1
2
3
4
0
- 2
- 4
- 6
- 8
- 10
- 12
I
D
=
0.20 A
Pulsed
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
R
D
0
- 0.01
1
2
3
4
- 0.1
- 1
- 10
V
GS
=
4.5 V
Pulsed
25°C
25
°
C
75
°
C
T
A
= 125
°
C
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
- 0.01
1
2
3
4
- 0.1
- 1
- 10
V
GS
=
4.0 V
Pulsed
25
°
C
25
°
C
75
°
C
T
A
= 125
°
C
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE
VOLTAGE
R
D
0
- 0.01
1
2
3
4
- 0.1
- 1
- 10
V
GS
=
2.5 V
Pulsed
T
A
= 125
°
C
75
°
C
25
°
C
25
°
C
I
D
- Drain Current - A
C
i
,
o
,
r
1
10
100
- 0.1
- 1
- 10
- 100
V
GS
= 0 V
f = 1.0 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
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PDF描述
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