參數(shù)資料
型號： UPA678TB
廠商： NEC Corp.
英文描述： P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： P溝道MOS場效應(yīng)晶體管開關(guān)
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： UPA678TB
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
μ
PA678TB
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
FOR SWITCHING
DATA SHEET
Document No. G16607EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published February 2003 NS CP(K)
Printed in Japan
2003
DESCRIPTION
The
μ
PA678TB is a switching device, which can be driven
directly by a 2.5 V power source.
The
μ
PA678TB features a low on-state resistance and excellent
switching characteristics, and is suitable for applications such as
power switch of portable machine and so on.
FEATURES
2.5 V drive available
Low on-state resistance
R
DS(on)1
= 1.45
MAX. (V
GS
=
4.5
V, I
D
=
0.20
A)
R
DS(on)2
= 1.55
MAX. (V
GS
=
4.0
V, I
D
=
0.20 A)
R
DS(on)3
= 2.98
MAX. (V
GS
=
2.5
V, I
D
=
0.15 A)
Two MOS FET circuits in same size package as SC-70
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
PACKAGE
μ
PA678TB
SC-88 (SSP)
Marking: XA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25°C)
Drain to Source Voltage (V
GS
= 0 V)
Gate to Source Voltage (V
DS
= 0 V)
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)
Note1
Total Power Dissipation (2 units)
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D(DC)
I
D(pulse)
P
T
T
ch
T
stg
20
m
12
m
0.25
m
1.00
0.2
150
V
V
A
A
W
°C
°C
Channel Temperature
Storage Temperature
–55 to +150
Notes 1.
PW
≤
10
μ
s, Duty Cycle
≤
1%
2.
Mounted on FR-4 board of 2500 mm
2
x 1.1 mm
Caution
This product is electrostatic-sensitive device due to low ESD capability and
shoud be handled with caution for electrostatic discharge.
V
ESD
=
±
100 V TYP. (C = 200 pF, R = 0
, Single pulse)
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
0.2
+0.1
-
0
0.15
+0.1
-
0.05
2
1
0.65
1.3
0.7
2.0 ±0.2
0.9 ±0.1
0 to 0.1
0.65
6
1
5
2
4
3
PIN CONNECTION (Top View)
6
5
4
1
2
3
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Source 1
Gate 1
Drain 2
Source 2
Gate 2
Drain 1
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PDF描述
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