參數(shù)資料
型號: UPA672T
廠商: NEC Corp.
英文描述: N-CHANNEL MOS FET ARRAY FOR SWITCHING
中文描述: N溝道場效應晶體管陣列開關
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大?。?/td> 62K
代理商: UPA672T
1996
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
μ
PA672T
N-CHANNEL MOS FET ARRAY
FOR SWITCHING
The
μ
PA672T is a super-mini-mold device provided
with two MOS FET elements. It achieves high-density
mounting and saves mounting costs.
FEATURES
Two MOS FET circuits in package the same size as
SC-70
Automatic mounting supported
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
RATINGS
UNIT
Drain to Source Voltage
V
DSS
50
V
Gate to Source Voltage
V
GSS
±
7.0
V
Drain Current (DC)
I
D(DC)
100
mA
Drain Current (pulse)
I
D(pulse)
PW
10 ms, Duty Cycle
50 %
200
mA
Total Power Dissipation
P
T
200 (Total)
mW
Channel Temperature
T
ch
150
C
Storage Temperature
T
stg
–55 to +150
C
Document No. G11259EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published June 1996 P
Printed in Japan
PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters)
0.2
+0.1
–0
0.15
+0.1
2
1
0.65
1.3
0.7
2.0 ±0.2
0.9 ±0.1
0 to 0.1
0.65
6
1
5
2
4
3
PIN CONNECTION
6
5
4
1
2
3
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Marking: MA
Source 1
Gate 1
Drain 2
Source 2
Gate 2
Drain 1
(S1)
(G1)
(D2)
(S2)
(G2)
(D1)
相關PDF資料
PDF描述
UPA678TB P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA80C TRANSISTOR ARRAY
UPA810T NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA810T-A NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA810T-T1 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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